Справочник по полупроводниковым приборам. ОБРАЗОВАНИЕ И НАУКА >> Электроника и электротехника. Раздел: Электроника и электротехника Скриншоты Операционная система: Windows 9x Требования: - Автор: Шульгин ОА, Шульгина ИБ, Воробьёв АБ Издатель: Laser Art. 31 декабря Советом Министров СССР принято постановление о строительстве завода полупроводниковых приборов (ВЗПП) в городе Воронеже. Полупроводниковые приборы. Микросхемы памяти, ЦАП и АЦП. Транзисторы средней и большой мощности.

Электронный справочник. Полупроводниковые приборы. В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики полупроводниковых приборов.

Защита устройств от неправильной подачи полярности питания / Хабрахабр. При проектировании промышленных приборов, к которым предъявляются повышенные требования по надёжности, я не раз сталкивался с проблемой защиты устройства от неправильной полярности подключения питания. Даже опытные монтажники порой умудряются перепутать плюс с минусом. Наверно ещё более остро подобные проблемы стоят в ходе экспериментов начинающих электронщиков. В данной статье рассмотрим простейшие решения проблемы — как традиционные так и редко применяемые на практике методы защиты. Простейшее решение, которое напрашивается с ходу — включение последовательно с прибором обычного полупроводникового диода.

Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах : учеб. Шульгин Ю.П., Набокова А.А., Сидорова Т.А.

Просто, дёшево и сердито, казалось бы чего ещё нужно для счастья? Однако, у такого способа есть очень серьёзный недостаток — большое напряжение падения на открытом диоде. Вот типичная ВАХ для прямого включения диода.

При токе в 2 Ампера напряжение падения составит примерно 0. В случае низковольтных цепей 5 вольт и ниже это очень существенная потеря. Для более высоковольтных такое падение играет меньшую роль, но есть ещё один неприятный фактор. В цепях с высоким током потребления на диоде будет рассеиваться весьма значительная мощность. Так для случая, изображённого на верхней картинке, получим: 0. В х 2. А = 1. 7. Вт.

Рассеиваемая на диоде мощность уже многовата для такого корпуса и он будет ощутимо греться! Впрочем, если вы готовы расстаться с несколько большими деньгами, то можно применить диод Шоттки, который имеет меньшее напряжение падения.

Вот типичная ВАХ для диода Шоттки. Подсчитаем рассеиваемую мощность для этого случая. В х 2. А = 1. 1. Вт. Уже несколько лучше.

Но что же делать если ваше устройство потребляет ещё более серьёзный ток? Иногда параллельно устройству ставят диоды в обратном включении, которые должны сгореть если перепутать напряжение питания и привести к короткому замыканию. Ваше устройство при этом скорее всего потерпит минимум повреждений, но может выйти из строя источник питания, не говоря уже о том, что сам защитный диод придётся заменить, а вместе с ним могут и дорожки на плате повредиться. Словом этот способ для экстрималов. Однако, есть ещё один несколько более затратный, но весьма простой и лишённый перечисленных выше недостатков способ защиты — с помощью полевого транзистора.

За последние 1. 0 лет параметры этих полупроводниковых приборов резко улучшились, а цена наоборот сильно упала. Пожалуй то, что их крайне редко используют для защиты ответственных цепей от неправильной полярности подачи питания можно объяснить во многом инерцией мышления. Рассмотрим следующую схему: При подаче питания напряжение на нагрузку проходит через защитный диод.

Падение на нём достаточно велико — в нашем случае около вольта. Однако в результате между затвором и истоком транзистора образуется напряжение превышающее напряжение отсечки и транзистор открывается. Сопротивление исток- сток резко уменьшается и ток начинает течь уже не через диод, а через открытый транзистор. Перейдём к конкретике. Peoplenet Zte Драйвер. Например для транзистора FQP4. З0. 6 типичное сопротивление канала будет составлять 0.

Ом! Нетрудно рассчитать что рассеиваемая при этом на транзисторе мощность для нашего случая будет всего 2. При смене полярности источника питания ток в цепи течь не будет. Из недостатков схемы можно пожалуй отметить разве то, что подобные транзисторы имеют не слишком большое пробивное напряжение между затвором и истоком, но слегка усложнив схему можно применить её для защиты более высоковольтных цепей. Думаю читателям не составит труда самим разобраться как работает эта схема. Уже после публикации статьи уважаемый пользователь Keroro в комментариях привел схему защиты на основе полевого транзистора, которая применяется в i. Phone 4. Надеюсь он не будет возражать если я дополню свой пост его находкой.

Курсовая работа Система управления реле. Министерство образования Российской Федерации. Южно- Уральский государственный университет Кафедра Автоматика«Система управления реле»Пояснительная записка к курсовому проекту по курсу АПС СА и УТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕна курсовой проект «Система управления реле»Разрабатываемая система предназначена для дистанционного управления электрическими пускателями.

Исходные данные: Система предназначена для управления из диспетчерской удаленными электрическими пускателями технологического оборудования в цехе. Расстояние между цехом и диспетчерской не превышает 1 км. Для включения пускателя система должна формировать релейный сигнал с параметрами: — напряжение коммутации — 2. В,— ток коммутации — до 1 А. Общее количество выдаваемых релейных сигналов — 1. Сигнал на включение (выключение) пускателей формируется на центральной ПЭВМ в диспетчерской и передается через последовательный интерфейс типа RS4.

На электронном блоке системы должна быть индикация состояния выходных управляющих сигналов. Информация о включенных пускателях может считываться управляющей ПЭВМ через интерфейс RS4. Напряжение питания — сеть 2.

В 5. 0 Гц. В процессе курсового проектирования необходимо: — разработать электрическую схему и выбрать электроэлементы; — разработать программное обеспечение. Документы, предъявляемые к защите курсового проекта: — пояснительная записка: — схема электрическая принципиальная устройства; — перечень элементов: блок схема алгоритма работы программы и текст программы (входят в пояснительную записку). Внимание! Это ОЗНАКОМИТЕЛЬНАЯ ВЕРСИЯ работы . Оформлена в программе Microsoft Word. Аннотация. Цель данной курсовой работы разработать систему управления реле со следующими характеристиками: 1) для включения пускателя система должна формировать релейный сигнал с параметрами: — напряжение коммутации — 2.

В,— ток коммутации — до 1 А. ПЭВМ в диспетчерской и передается через последовательный интерфейс типа RS4. ПЭВМ через интерфейс RS4.

В 5. 0 Гц. Содержание. Введение . 5. 2 Обоснование и выбор элементов. Выбор электромагнитного реле. Выбор защитного диода.

Выбор транзистора для транзисторного ключа. Выбор микросхемы шинного формирователя. Выбор микроконтроллера. Выбор трансформатора источника питания. Выбор диодного моста. Выбор микросхемы стабилизатора напряжения.

Расчёт элементов. Расчёт тока, потребляемого от вторичной обмотки трансформатора. Листинг программы. Список литературы. Схема электрическая принципиальная вторичного источника питания.

Перечень элементов вторичного источника питания. Приложение В. Схема электрическая принципиальная системы управления реле. Приложение Г. Перечень элементов системы управления реле. Очень широкое применение получили дистанционно управляемые пускатели. Они позволяют управлять из диспетчерской технологическим оборудованием, расположенным в цехе. На сегодняшний день, известны многие модели систем для дистанционного управления электрическими пускателями, но они отличаются высокой ценой.

Применение микроконтроллера фирмы Microchip в данной курсовой работе, позволило снизить стоимость системы управления реле, обеспечить простоту конструкции и высокую надежность. Структурная схема системы. Рис. 1 Структурная схема системы управления реле. Питание электронного блока, расположенного в цехе осуществляется от вторичного источника питания. Сигнал на включение или выключение пускателей формируется на центральном ПЭВМ в диспетчерской, расположенной на расстоянии от цеха, и передаётся через последовательный интерфейс RS4. На электронном блоке имеется индикация состояния каждого реле.

Обоснование и выбор элементов. Выбор электромагнитного реле.

Электромагнитное реле выбираем исходя из следующих условий: — напряжение коммутации 2. В,— ток коммутации до 1 А.

Т. к. 2 Внешний вид реле TNC- 1. C- 0. 5- 1. 22. 2 Выбор защитного диода. Защитный диод выбирается исходя из обратного напряжения > 5 В. Выбираем диод КД2. А, имеющий следующие характеристики: — прямой ток 1. А,— обратное напряжение 8.

В. Внешний вид диода КД2. А изображён на рисунке 3. Рис. 3 Внешний вид диода КД2. А2. 3 Выбор транзистора для транзисторного ключа. Выбор транзистора производится исходя из следующих условий: — максимальный ток коллектора транзистора должен быть больше рабочего тока реле (6. А),— максимально допустимое напряжение эмиттер- коллектор транзистора должно быть больше напряжения питания.

Для транзисторного ключа выбираем транзистор КТ3. А, имеющий следующие параметры: — IKmax 1.

А,— UКЭmax 2. 5 В,— h. Э 2. 0. 4 Внешний вид транзистора КТ3. А2. 4 Выбор светоизлучающего диода. Для отображения состояния реле будет использован светодиод. Выбираем светодиод АЛ3. КМ, имеющий следующие параметры: — цвет свечения красный,— UПР 2 В,— IПР 2. А. Внешний вид светодиода АЛ3.

КМ изображён на рисунке 5. Рис. 5 Внешний вид светодиода АЛ3. КМ2. 5 Выбор микросхемы регистра. Выбираем микросхему регистра К5. ИР2. 3, имеющую следующие параметры: — 8 разрядов,— ток потребления 3. Программа Для Рисования Проводки В Квартире.

А,— время задержки микросхемы при включении 2. С,— время задержки микросхемы при выключении 2. С. Внешний вид микросхемы К5. ИР2. 3 изображён на рисунке 6. Рис. 6 Внешний вид микросхемы. Выбор микросхемы шинного формирователя. Выбираем микросхему регистра К5.

АП6, имеющую следующие параметры: — 8 разрядов,— ток потребления 7. А,— время задержки микросхемы при включении 1. С,— время задержки микросхемы при выключении 1. С. Внешний вид микросхемы К5. АП6 изображён на рисунке 6. Выбор микроконтроллера. Для реализации управления из диспетчерской удалёнными электрическими пускателями технологического оборудования в цехе, передачи информации о включенных пускателях необходим 8- ми разрядный микроконтроллер.

Выбираем микроконтроллер PIC 1. F8. 76. Рис. 7 PIC 1. F8. 76. 2. 8 Выбор микросхемы передатчика интерфейса RS- 4. Микросхема данного типа обычно используются для согласования стандартной логики ТТЛ, КМОП с уровнями протокола RS- 4. Выбираем микросхему MAX1. Внешний вид микросхемы MAX1.

Рис. 8 Внешний вид микросхемы MAX1. Выбор трансформатора источника питания. Трансформатор выбираем исходя из следующих условий: — напряжение первичной обмотки 2. В,— напряжение вторичной обмотки 7,5 В,— ток вторичной обмотки > 1. А. По данным параметрам выбираем трансформатор фирмы “Hahn”BV EI 4.

В; — напряжение вторичной обмотки 1. В; — ток вторичной обмотки 1. А,— общая выходная мощность 2. ВА. Внешний вид трансформатора BV EI 4. Рис. 9 Внешний вид трансформатора BV EI 4.

Выбор диодного моста. В качестве диодного моста выбираем готовый диодный мост КЦ4. А, имеющий следующие параметры: — прямой ток 2,5 А,— обратное напряжение 5. В. Внешний вид диодного моста КЦ4. А изображён на рисунке 1. Рис. 1. 0 Внешний вид диодного моста КЦ4.

А2. 1. 1 Выбор микросхемы стабилизатора напряжения. Стабилизатор напряжения выбираем исходя из: — напряжения питания 5 В,— максимального тока нагрузки 1. А. По данным параметрам нам подходит стабилизатор напряжения КР1. ЕН5. А представляющий собой нерегулируемый стабилизатор напряжения с защитой от короткого замыкания, перегрузки по току и от перегрева кристалла, имеющий следующие параметры: — минимальное входное напряжение 7,5,— максимальное входное напряжение 1. Внешний вид стабилизатора КР1. ЕН5. А2. 1. 2 Выбор кварцевого резонатора.

В качестве кварцевого резонатора выбираем резонатор на 4. МГц HC- 4. 9U. 3 Расчет элементов. Т. к. 1. 2 Фрагмент рассчитываемого участка схемы. Расчёт резистора в цепи базы транзисторного ключа. Расчёт будет производиться по формуле (2)(3)где: UВХ – напряжение, подаваемое микроконтроллером на базу транзистора,UБЭ – напряжение на переходе база- эмиттер транзистора,IБmin – минимальный ток базы транзистора.(4)где: IРАБ – рабочий ток реле,h.

Э — статический коэффициент передачи тока транзистора.(А)(Ом)Выбираем резистор с учётом номинальных рядов 1,3. Ом (ряд E4. 8). Расчёт мощности резистора будет производиться по формуле (2).(Вт)Мощность, рассеиваемую резистором выбираем равной 0,1. Вт. На рисунке 1. Рис. 1. 3 приведён фрагмент рассчитываемого участка схемы.